Un nuevo “pegamento” molecular sirve para imprimir en 3D el primer semiconductor

Un nuevo “pegamento” molecular sirve para imprimir en 3D el primer semiconductor

El nuevo método de impresión 3D permitió generar un dragón chino con dos tipos diferentes de cristales semiconductores.
F. Li et al.

 

Un equipo de investigadores chinos ha logrado imprimir en 3D el primer semiconductor con estructuras nanométricas del mundo, utilizando una técnica innovadora que podría revolucionar la fabricación de dispositivos electrónicos y ópticos.

lapatilla.com

La impresión 3D, o fabricación aditiva, es una tecnología que permite crear objetos tridimensionales a partir de capas sucesivas de material. Sin embargo, hasta ahora no se había podido imprimir en 3D semiconductores con estructuras nanométricas, es decir, con dimensiones inferiores a la millonésima parte de un milímetro, debido a las limitaciones de los materiales y los métodos disponibles.

Los semiconductores son materiales que tienen la capacidad de conducir o bloquear la electricidad según las condiciones externas, y son la base de la electrónica moderna. Los semiconductores con estructuras nanométricas tienen propiedades ópticas y eléctricas únicas, que los hacen ideales para aplicaciones como sensores, láseres, pantallas o células solares.

El grupo de investigadores de la Universidad de Tsinghua en Pekín (China), liderado por el profesor Zhang Hao, ha desarrollado una nueva técnica de impresión 3D que les ha permitido construir el primer semiconductor con estructuras nanométricas del mundo, según informó el periódico South Morning China Post.

La técnica, llamada ‘3D Pin’, consiste en formar enlaces estables entre nanocristales suspendidos en una tinta coloidal, utilizando un ‘pegamento’ molecular. De esta forma, se pueden imprimir directamente semiconductores y otros objetos inorgánicos minúsculos sin necesidad de usar aglutinantes o plantillas de polímeros, que pueden afectar a la pureza y las propiedades de las estructuras.

Los investigadores han demostrado que los semiconductores impresos en 3D con el método ‘3D Pin’ mantienen sus propiedades electromagnéticas originales, y que se pueden crear estructuras tridimensionales sin acumular capas de material, a diferencia de las técnicas convencionales de fabricación de circuitos integrados.

“Nuestro método tiene el potencial de ser una alternativa más rentable para fabricar dispositivos semiconductores con estructuras 3D”, declaró Zhang Hao, quien añadió que este proceso no pretende sustituir la tecnología para la producción de circuitos integrados, sino complementarla.

La técnica ‘3D Pin’ también puede usarse para imprimir estructuras complejas y específicas, como rostros humanos y edificios, así como puntos cuánticos, que son partículas semiconductoras nanométricas que se usan en pantallas de televisión de ledes y paneles solares.

El estudio fue publicado recientemente en la prestigiosa revista científica Nature, y representa un avance sin precedentes en el campo de la impresión 3D y la nanotecnología.

Con información de RT

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